[口头报告]20%SiC/Al复合材料微弧氧化层组织及性能研究

20%SiC/Al复合材料微弧氧化层组织及性能研究
编号:255 稿件编号:265 访问权限:仅限参会人 更新:2025-04-26 15:49:32 浏览:38次 口头报告

报告开始:2025年05月10日 21:25 (Asia/Shanghai)

报告时间:15min

所在会议:[M10] 微弧氧化及液态等离子体技术论坛10日晚场 » [M100] 10日晚场

暂无文件

摘要
面对SiC/Al复合材料微弧氧化后氧化层薄且致密性差、电绝缘性能和导热性能相驳等问题。本工作主要通过对微弧氧化各参数的调控,实现各参数间的匹配,系统评估了各参数对微弧氧化层厚度及致密性的影响。研究表明,击穿电压与厚度有关,在40%的占空比下获得最佳绝缘性能(550.74V),且高占空比下容易形成裂纹。微弧氧化层很好的提高了SiC/Al复合材料的耐蚀性,在20%的占空比下,Icorr为1.0×10-7 A· cm²,|Z|为1.18×10⁵Ω·cm²,表现出最佳的耐腐蚀性。在确定的电解液中正向电压对氧化层厚度影响不大,均可达20mm。负向电压的引入大大提高了氧化层的厚度和致密性,随着负电压的增大氧化层厚度增大,致密性提高,在负向电压为-100V时,击穿电压达到1008.77V,负电压-120V时涂层厚度最大,涂层内部没有明显的放电通道的残存,但击穿电压仅有582.90V。发现无负向电压或者负向电压较小时主要发生 A 型和 B 型放电,这会导致涂层内部形成不连续孔洞与裂纹,负向电压的引入有效地抑制了 B 型放电,随负电压的增大放电类型由B 型向D型转变。高负电压条件下,D型放电持续时间过长,微弧氧化层致密层被击穿,涂层内部残存细小的放电通道,影响微弧氧化层的电绝缘性能。
关键字
SiC / Al复合材料;微弧氧化;致密性;电气绝缘性能
报告人
薛娥
硕士研究生 辽宁工业大学

稿件作者
薛娥 辽宁工业大学
商剑 辽宁工业大学
发表评论
验证码 看不清楚,更换一张
全部评论

会议网址、邮箱和联系人

 址:2025.bmgc.cn
 箱:bmgc2025@126.com

联系人:
中国机械工程学会表面工程分会
段金弟 13971036507  蒋 超 18971299299

天津大学
汪怀远 15620274098  王瑞涛 13752444461

北京科技大学
庞晓露 13910128796  郭 涛 13810853897

中国地质大学(北京)
 文 13671111012  康嘉杰 15010333951

注册缴费 提交稿件